NVMFD5489NLWFT1G
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| Numero parte | NVMFD5489NLWFT1G |
| PNEDA Part # | NVMFD5489NLWFT1G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.726 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVMFD5489NLWFT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFD5489NLWFT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
NVMFD5489NLWFT1G, NVMFD5489NLWFT1G Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 136,66 KB)
  
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NVMFD5489NLWFT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ II Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V Potenza - Max 1.6W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Sanken Serie - Tipo FET 4 N-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Potenza - Max 4.8W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore 15-ZIP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 160mA, 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 15V Potenza - Max 125mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-963 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-963 |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 162mOhm @ 1A, 1.8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-UFBGA, DSBGA Pacchetto dispositivo fornitore 9-DSBGA |
