NGTB60N65FL2WG
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| Numero parte | NGTB60N65FL2WG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | NGTB60N65FL2WG | ||||||||||||||||||
| Descrizione | 650V/60A IGBT FSII | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 5.533 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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NGTB60N65FL2WG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NGTB60N65FL2WG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
NGTB60N65FL2WG, NGTB60N65FL2WG Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 103,21 KB)
  
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NGTB60N65FL2WG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
| Potenza - Max | 595W |
| Switching Energy | 1.59mJ (on), 660µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 318nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 117ns/265ns |
| Condizione di test | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 96ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 770nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 120ns/890ns Condizione di test 600V, 100A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
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Produttore IXYS Serie GenX3™, XPT™ Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 510A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 1075A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A Potenza - Max 2300W Switching Energy 3.35mJ (on), 1.9mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 438nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 50ns/160ns Condizione di test 400V, 100A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 28A Potenza - Max 43W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C 39ns/120ns Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
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