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MUR2X030A04

MUR2X030A04

Solo per riferimento

Numero parte MUR2X030A04
PNEDA Part # MUR2X030A04
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 27 - ott 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MUR2X030A04 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUR2X030A04
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MUR2X030A04, MUR2X030A04 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 647,46 KB)
PDFMUR2X030A04 Datasheet Copertura
MUR2X030A04 Datasheet Pagina 2 MUR2X030A04 Datasheet Pagina 3

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MUR2X030A04 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 30A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr25µA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

55A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

166µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

NRVHP420MFDWFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

BAV23C-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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