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MBRM120LT3G

MBRM120LT3G

Solo per riferimento

Numero parte MBRM120LT3G
PNEDA Part # MBRM120LT3G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 85.878
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRM120LT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRM120LT3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBRM120LT3G, MBRM120LT3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 169,03 KB)
PDFNRVBM120LT1G Datasheet Copertura
NRVBM120LT1G Datasheet Pagina 2 NRVBM120LT1G Datasheet Pagina 3 NRVBM120LT1G Datasheet Pagina 4 NRVBM120LT1G Datasheet Pagina 5

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MBRM120LT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)20V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If450mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr400µA @ 20V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-216AA
Pacchetto dispositivo fornitorePowermite
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 125°C

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2.5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

GP30DHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

GATELEAD28134XPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SK23TR

SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

SMB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

HS1ML RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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