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1N4448W-TP

1N4448W-TP

Solo per riferimento

Numero parte 1N4448W-TP
PNEDA Part # 1N4448W-TP
Descrizione DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 796.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N4448W-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N4448W-TP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N4448W-TP, 1N4448W-TP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 264,06 KB)
PDF1N4448W-TP Datasheet Copertura
1N4448W-TP Datasheet Pagina 2 1N4448W-TP Datasheet Pagina 3 1N4448W-TP Datasheet Pagina 4

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1N4448W-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)75V
Corrente - Media Rettificata (Io)250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2.5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F4pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-123
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

PDS5100H-13-36

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3.5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerDI™ 5

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI™ 5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

VS-30WQ10FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

810mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

92pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Produttore

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

AL01Z

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Produttore

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

980mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

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