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MBR40030CTRL

MBR40030CTRL

Solo per riferimento

Numero parte MBR40030CTRL
PNEDA Part # MBR40030CTRL
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
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MBR40030CTRL Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR40030CTRL
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBR40030CTRL, MBR40030CTRL Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 531,74 KB)
PDFMBR40030CTRL Datasheet Copertura
MBR40030CTRL Datasheet Pagina 2 MBR40030CTRL Datasheet Pagina 3

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MBR40030CTRL Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If580mV @ 200A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr3mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaTwin Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreTwin Tower

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

12.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

470mV @ 12.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK-3

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MBRF20045

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

3V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

460mV @ 1mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

700nA @ 1V

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75-4, SOT-543

Pacchetto dispositivo fornitore

EMD4

MURF40010

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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