MURF40010
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| Numero parte | MURF40010 |
| PNEDA Part # | MURF40010 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 200A TO244 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.326 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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MURF40010 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURF40010 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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MURF40010 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 100V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-244AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244 |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 250mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 80V Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323-3 |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie * Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 250A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
