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KST10MTF

KST10MTF

Solo per riferimento

Numero parte KST10MTF
PNEDA Part # KST10MTF
Descrizione RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 124.260
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KST10MTF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKST10MTF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
KST10MTF, KST10MTF Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 267,89 KB)
PDFKST10MTF Datasheet Copertura
KST10MTF Datasheet Pagina 2 KST10MTF Datasheet Pagina 3 KST10MTF Datasheet Pagina 4 KST10MTF Datasheet Pagina 5

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KST10MTF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione650MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

860MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

19.4W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

M122

Pacchetto dispositivo fornitore

M122

BFP405E6740HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

75mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CP

MDS500L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.2dB

Potenza - Max

833W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

BF799E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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