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55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 55GN01CA-TB-E
PNEDA Part # 55GN01CA-TB-E
Descrizione RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.690
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Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

55GN01CA-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte55GN01CA-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
55GN01CA-TB-E, 55GN01CA-TB-E Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 290,31 KB)
PDF55GN01CA-TB-E Datasheet Copertura
55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 2 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 3 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 4 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 5 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 6 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 7 55GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 8

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55GN01CA-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB @ 1GHz
Guadagno9.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Guadagno

7.5dB

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

UTV8100B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

470MHz ~ 860MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

290W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55RT

Pacchetto dispositivo fornitore

55RT

MS2092H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFS17,235

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

10A030

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

24V

Frequenza - Transizione

2.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.8dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

13W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

55FT

Pacchetto dispositivo fornitore

55FT

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