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KSC2786RTA

KSC2786RTA

Solo per riferimento

Numero parte KSC2786RTA
PNEDA Part # KSC2786RTA
Descrizione RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KSC2786RTA Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKSC2786RTA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
KSC2786RTA, KSC2786RTA Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 72,26 KB)
PDFKSC2786RTA Datasheet Copertura
KSC2786RTA Datasheet Pagina 2 KSC2786RTA Datasheet Pagina 3 KSC2786RTA Datasheet Pagina 4 KSC2786RTA Datasheet Pagina 5 KSC2786RTA Datasheet Pagina 6 KSC2786RTA Datasheet Pagina 7

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KSC2786RTA Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Frequenza - Transizione600MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
Guadagno18dB ~ 22dB
Potenza - Max250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 1mA, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Short Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92S

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.65dB @ 900MHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

MDS70

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.3dB ~ 11.65dB

Potenza - Max

225W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55CX

Pacchetto dispositivo fornitore

55CX

1214-370M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.7dB ~ 9dB

Potenza - Max

600W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.3V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Guadagno

18dB

Potenza - Max

115mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343F

MT3S16U(TE85L,F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

Guadagno

4.5dBi

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

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