IXYX100N65B3D1
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| Numero parte | IXYX100N65B3D1 |
| PNEDA Part # | IXYX100N65B3D1 |
| Descrizione | IGBT 650V 188A 1150W PLUS247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.824 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXYX100N65B3D1 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXYX100N65B3D1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
IXYX100N65B3D1, IXYX100N65B3D1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 221,64 KB)
  
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IXYX100N65B3D1 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 225A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 460A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 70A |
| Potenza - Max | 830W |
| Switching Energy | 1.27mJ (on), 1.37mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 168nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 29ns/150ns |
| Condizione di test | 400V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 156ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
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