IXTU5N50P
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| Numero parte | IXTU5N50P |
| PNEDA Part # | IXTU5N50P |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.154 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXTU5N50P Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTU5N50P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXTU5N50P Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | PolarHV™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.5A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5404pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 650mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-251A Pacchetto / Custodia TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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