IXTN660N04T4
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| Numero parte | IXTN660N04T4 |
| PNEDA Part # | IXTN660N04T4 |
| Descrizione | 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.076 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXTN660N04T4 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTN660N04T4 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXTN660N04T4 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | TrenchT4™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 660A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.85mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 860nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 44000pF @ 25V |
| Funzione FET | Current Sensing |
| Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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