Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

BSH202,215

BSH202,215

Solo per riferimento

Numero parte BSH202,215
PNEDA Part # BSH202-215
Descrizione MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 119.232
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSH202 Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSH202,215
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BSH202, BSH202 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 225,11 KB)
PDFBSH202 Datasheet Copertura
BSH202 Datasheet Pagina 2 BSH202 Datasheet Pagina 3 BSH202 Datasheet Pagina 4 BSH202 Datasheet Pagina 5 BSH202 Datasheet Pagina 6 BSH202 Datasheet Pagina 7 BSH202 Datasheet Pagina 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • BSH202,215 Datasheet
  • where to find BSH202,215
  • Nexperia

  • Nexperia BSH202,215
  • BSH202,215 PDF Datasheet
  • BSH202,215 Stock

  • BSH202,215 Pinout
  • Datasheet BSH202,215
  • BSH202,215 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BSH202,215 Price
  • BSH202,215 Distributor

BSH202 Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C520mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 280mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 24V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)417mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-236AB
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

STD17NF03LT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MCU07N65-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ZVP2106A

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 18V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

NVMFS5C673NLWFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 46W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IPU60R1K5CEAKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Venduto di recente

1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

AS5263-HQFM

AS5263-HQFM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

BAS40-04-7-F

BAS40-04-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

MT47H64M16NF-25E AIT:M

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

MC74HC373ADWG

MC74HC373ADWG

ON Semiconductor

IC TRANSP LATCH OCT 3ST 20-SOIC

KSZ9031RNXIA

KSZ9031RNXIA

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

BC807-16LT1G

BC807-16LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

ATMEGA32U4-MUR

ATMEGA32U4-MUR

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44VQFN

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC