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IXGC12N60C

IXGC12N60C

Solo per riferimento

Numero parte IXGC12N60C
PNEDA Part # IXGC12N60C
Descrizione IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGC12N60C Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGC12N60C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGC12N60C, IXGC12N60C Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 543,21 KB)
PDFIXGC12N60CD1 Datasheet Copertura
IXGC12N60CD1 Datasheet Pagina 2

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IXGC12N60C Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max85W
Switching Energy90µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge32nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/60ns
Condizione di test480V, 12A, 18Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUS220™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS220™

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

360V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

44A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 4V, 6A

Potenza - Max

187W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

20nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5.4µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263

NGTB20N120IHTG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

DGTD120T40S1PT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

357W

Switching Energy

1.96mJ (on), 540µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

341nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

65ns/308ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IHY20N135R3XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1350V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 20A

Potenza - Max

310W

Switching Energy

1.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

195nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/335ns

Condizione di test

600V, 20A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

STMicroelectronics

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Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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