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IRF7754TR

IRF7754TR

Solo per riferimento

Numero parte IRF7754TR
PNEDA Part # IRF7754TR
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.892
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7754TR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7754TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7754TR, IRF7754TR Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 144,45 KB)
PDFIRF7754TR Datasheet Copertura
IRF7754TR Datasheet Pagina 2 IRF7754TR Datasheet Pagina 3 IRF7754TR Datasheet Pagina 4 IRF7754TR Datasheet Pagina 5 IRF7754TR Datasheet Pagina 6 IRF7754TR Datasheet Pagina 7 IRF7754TR Datasheet Pagina 8 IRF7754TR Datasheet Pagina 9

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IRF7754TR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1984pF @ 6V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

BSO612CV

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

P-DSO-8

HS8K1TB

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC, 7.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

348pF, 429pF @ 15V

Potenza - Max

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

562pF @ 8V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta), 600mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Potenza - Max

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