IPG20N04S408ATMA1
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| Numero parte | IPG20N04S408ATMA1 |
| PNEDA Part # | IPG20N04S408ATMA1 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.256 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPG20N04S408ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPG20N04S408ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IPG20N04S408ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2940pF @ 25V |
| Potenza - Max | 65W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 404pF @ 20V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel, Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 404pF @ 20V Potenza - Max 1.6W, 1.7W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-4L |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 830mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie FETKY™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
