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IGZ75N65H5XKSA1

IGZ75N65H5XKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IGZ75N65H5XKSA1
PNEDA Part # IGZ75N65H5XKSA1
Descrizione IGBT 650V 75A SGL TO-247-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.960
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 24 - set 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IGZ75N65H5XKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIGZ75N65H5XKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IGZ75N65H5XKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)119A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
Potenza - Max395W
Switching Energy680µJ (on), 430µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge166nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C26ns/347ns
Condizione di test400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-4
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-4

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

170W

Switching Energy

1.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

190nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/110ns

Condizione di test

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

APT15GN120KG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Potenza - Max

195W

Switching Energy

410µJ (on), 950µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

90nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

10ns/150ns

Condizione di test

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 [K]

IRGB4B60KD1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Potenza - Max

63W

Switching Energy

73µJ (on), 47µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/100ns

Condizione di test

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

93ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

930µJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

37ns/330ns

Condizione di test

400V, 36A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

APT44GA60BD30

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

Potenza - Max

337W

Switching Energy

409µJ (on), 258µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

128nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/84ns

Condizione di test

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Venduto di recente

MMA02040C1001FB300

MMA02040C1001FB300

Vishay Beyschlag

RES SMD 1K OHM 1% 0.4W 0204

4816P-1-331LF

4816P-1-331LF

Bourns

RES ARRAY 8 RES 330 OHM 16SOIC

NLV32T-068J-EF

NLV32T-068J-EF

TDK

FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM

IHLP2525CZERR22M01

IHLP2525CZERR22M01

Vishay Dale

FIXED IND 220NH 23A 2.8 MOHM SMD

CEP125NP-1R0MC-HD

CEP125NP-1R0MC-HD

Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

MPZ2012S300AT000

MPZ2012S300AT000

TDK

FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN

DLW5BSN191SQ2L

DLW5BSN191SQ2L

Murata

CMC 5A 2LN 190 OHM SMD

NFE31PT220R1E9L

NFE31PT220R1E9L

Murata

FILTER LC(T) 22PF SMD

ASDMB-48.000MHZ-LC-T

ASDMB-48.000MHZ-LC-T

Abracon

MEMS OSC XO 48.0000MHZ LVCMOS

403C35E12M00000

403C35E12M00000

CTS Frequency Controls

CRYSTAL 12.0000MHZ 20PF SMD

CS325S25000000ABJT

CS325S25000000ABJT

Citizen Finedevice

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

T520D337M006ATE015

T520D337M006ATE015

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917