HGTP5N120BND
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| Numero parte | HGTP5N120BND |
| PNEDA Part # | HGTP5N120BND |
| Descrizione | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.424 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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HGTP5N120BND Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTP5N120BND |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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HGTP5N120BND Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 21A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Potenza - Max | 167W |
| Switching Energy | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 53nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 22ns/160ns |
| Condizione di test | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A Potenza - Max 260W Switching Energy 383µJ (on), 233µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 163nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 45ns/189ns Condizione di test 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 |
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