HGTP5N120BND Datasheet
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 21A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A Potenza - Max 167W Switching Energy 450µJ (on), 390µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 53nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/160ns Condizione di test 960V, 5A, 25Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 65ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 21A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A Potenza - Max 167W Switching Energy 450µJ (on), 390µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 53nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/160ns Condizione di test 960V, 5A, 25Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 65ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
