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GWM120-0075P3-SMD

GWM120-0075P3-SMD

Solo per riferimento

Numero parte GWM120-0075P3-SMD
PNEDA Part # GWM120-0075P3-SMD
Descrizione MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.894
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GWM120-0075P3-SMD Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGWM120-0075P3-SMD
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GWM120-0075P3-SMD, GWM120-0075P3-SMD Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 208,49 KB)
PDFGWM120-0075P3-SMD Datasheet Copertura
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GWM120-0075P3-SMD Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C118A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia17-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-DIL™

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

450V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tipo FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.44pF @ 15V

Potenza - Max

330mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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