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DMP210DUDJ-7

DMP210DUDJ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP210DUDJ-7
PNEDA Part # DMP210DUDJ-7
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 78.984
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP210DUDJ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP210DUDJ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMP210DUDJ-7, DMP210DUDJ-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 540,46 KB)
PDFDMP210DUDJ-7 Datasheet Copertura
DMP210DUDJ-7 Datasheet Pagina 2 DMP210DUDJ-7 Datasheet Pagina 3 DMP210DUDJ-7 Datasheet Pagina 4 DMP210DUDJ-7 Datasheet Pagina 5 DMP210DUDJ-7 Datasheet Pagina 6

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DMP210DUDJ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds27.44pF @ 15V
Potenza - Max330mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-963
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-963

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V, 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA, 775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 25V

Potenza - Max

70W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3333pF @ 10V

Potenza - Max

1.45W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

410mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

62pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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