FGH40T65SHDF-F155
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| Numero parte | FGH40T65SHDF-F155 |
| PNEDA Part # | FGH40T65SHDF-F155 |
| Descrizione | IGBT 650V 80A 268W TO-247-3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 9.780 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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FGH40T65SHDF-F155 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGH40T65SHDF-F155 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
FGH40T65SHDF-F155, FGH40T65SHDF-F155 Datasheet
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FGH40T65SHDF-F155 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
| Potenza - Max | 268W |
| Switching Energy | 1.22mJ (on), 440µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 68nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 18ns/64ns |
| Condizione di test | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 101ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
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