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STGD14NC60KT4

STGD14NC60KT4

Solo per riferimento

Numero parte STGD14NC60KT4
PNEDA Part # STGD14NC60KT4
Descrizione IGBT 600V 25A 80W DPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.708
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGD14NC60KT4 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGD14NC60KT4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGD14NC60KT4, STGD14NC60KT4 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 431,58 KB)
PDFSTGD14NC60KT4 Datasheet Copertura
STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 2 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 3 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 4 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 5 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 6 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 7 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 8 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 9 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 10 STGD14NC60KT4 Datasheet Pagina 11

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STGD14NC60KT4 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)25A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 7A
Potenza - Max80W
Switching Energy82µJ (on), 155µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge34.4nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22.5ns/116ns
Condizione di test390V, 7A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Potenza - Max

480W

Switching Energy

1.1mJ (on), 21mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

225nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/250ns

Condizione di test

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

HGTG18N120BN

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

54A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

165A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

Potenza - Max

390W

Switching Energy

800µJ (on), 1.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

165nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/170ns

Condizione di test

960V, 18A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

APT65GP60L2DQ2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

198A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 65A

Potenza - Max

833W

Switching Energy

605µJ (on), 895µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/90ns

Condizione di test

400V, 65A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

STGWT60H65FB

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

1.09mJ (on), 626µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

306nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

51ns/160ns

Condizione di test

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

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Tipo IGBT

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Standard

Gate Charge

30nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

35ns/500ns

Condizione di test

1360V, 10A, 56Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

360ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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TO-268

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