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FG6943010R

FG6943010R

Solo per riferimento

Numero parte FG6943010R
PNEDA Part # FG6943010R
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.417.080
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FG6943010R Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFG6943010R
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FG6943010R, FG6943010R Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 299,73 KB)
PDFFG6943010R Datasheet Copertura
FG6943010R Datasheet Pagina 2 FG6943010R Datasheet Pagina 3 FG6943010R Datasheet Pagina 4 FG6943010R Datasheet Pagina 5 FG6943010R Datasheet Pagina 6 FG6943010R Datasheet Pagina 7 FG6943010R Datasheet Pagina 8 FG6943010R Datasheet Pagina 9

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FG6943010R Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSSMini6-F3-B

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 50V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 10V

Potenza - Max

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

320mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 10V

Potenza - Max

445mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.3pF @ 15V

Potenza - Max

125mW

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