BSS138BKS,115
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| Numero parte | BSS138BKS,115 |
| PNEDA Part # | BSS138BKS-115 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 331.506 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSS138BKS Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSS138BKS,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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BSS138BKS Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 320mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 320mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 56pF @ 10V |
| Potenza - Max | 445mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
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Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3333pF @ 10V Potenza - Max 1.45W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-XFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore X1-WLB1818-4 |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 4V Potenza - Max 3.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate, 5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 15V Potenza - Max 2.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-LSON (5x6) |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Potenza - Max 330mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-666 |
