FF200R12KE4HOSA1
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| Numero parte | FF200R12KE4HOSA1 |
| PNEDA Part # | FF200R12KE4HOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE 1200V 200A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.670 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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FF200R12KE4HOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FF200R12KE4HOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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FF200R12KE4HOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | C |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 240A |
| Potenza - Max | 1100W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Asymmetrical Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 225A Potenza - Max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
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