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BSM200GA120DN2HOSA1

BSM200GA120DN2HOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM200GA120DN2HOSA1
PNEDA Part # BSM200GA120DN2HOSA1
Descrizione IGBT 2 MED POWER 62MM-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM200GA120DN2HOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM200GA120DN2HOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM200GA120DN2HOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle Switch
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300A
Potenza - Max1550W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)4mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce13nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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CM800DU-12H

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800A

Potenza - Max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 800A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

70.4nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT100DH60TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FP40R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Potenza - Max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS200R12PT4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

280A

Potenza - Max

1000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

NXH160T120L2Q2F2SG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

181A

Potenza - Max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 160A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

38.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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