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FDS4895C

FDS4895C

Solo per riferimento

Numero parte FDS4895C
PNEDA Part # FDS4895C
Descrizione MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDS4895C Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDS4895C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDS4895C, FDS4895C Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 166,79 KB)
PDFFDS4895C Datasheet Copertura
FDS4895C Datasheet Pagina 2 FDS4895C Datasheet Pagina 3 FDS4895C Datasheet Pagina 4 FDS4895C Datasheet Pagina 5 FDS4895C Datasheet Pagina 6 FDS4895C Datasheet Pagina 7 FDS4895C Datasheet Pagina 8

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FDS4895C Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A, 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 20V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

647pF @ 10V

Potenza - Max

950mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Potenza - Max

8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V

Potenza - Max

60W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

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