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STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5

Solo per riferimento

Numero parte STL40DN3LLH5
PNEDA Part # STL40DN3LLH5
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.066
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL40DN3LLH5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL40DN3LLH5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STL40DN3LLH5, STL40DN3LLH5 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 505,6 KB)
PDFSTL40DN3LLH5 Datasheet Copertura
STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 2 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 3 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 4 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 5 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 6 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 7 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 8 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 9 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 10 STL40DN3LLH5 Datasheet Pagina 11

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STL40DN3LLH5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ V
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 25V
Potenza - Max60W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FC6546010R

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A, 22.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2127pF @ 25V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo FET

2 N Channel (Phase Leg)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Potenza - Max

462W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

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Produttore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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