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FDMD8240LET40

FDMD8240LET40

Solo per riferimento

Numero parte FDMD8240LET40
PNEDA Part # FDMD8240LET40
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.112
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMD8240LET40 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMD8240LET40
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMD8240LET40, FDMD8240LET40 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 458,67 KB)
PDFFDMD8240LET40 Datasheet Copertura
FDMD8240LET40 Datasheet Pagina 2 FDMD8240LET40 Datasheet Pagina 3 FDMD8240LET40 Datasheet Pagina 4 FDMD8240LET40 Datasheet Pagina 5 FDMD8240LET40 Datasheet Pagina 6 FDMD8240LET40 Datasheet Pagina 7 FDMD8240LET40 Datasheet Pagina 8

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FDMD8240LET40 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4230pF @ 20V
Potenza - Max50W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia12-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore12-Power3.3x5

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1464pF @ 25V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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8-TSSOP

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Tipo FET

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C

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