Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Solo per riferimento

Numero parte DMG6301UDW-7
PNEDA Part # DMG6301UDW-7
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.092
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMG6301UDW-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMG6301UDW-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMG6301UDW-7, DMG6301UDW-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 272,66 KB)
PDFDMG6301UDW-13 Datasheet Copertura
DMG6301UDW-13 Datasheet Pagina 2 DMG6301UDW-13 Datasheet Pagina 3 DMG6301UDW-13 Datasheet Pagina 4 DMG6301UDW-13 Datasheet Pagina 5 DMG6301UDW-13 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMG6301UDW-7 Datasheet
  • where to find DMG6301UDW-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMG6301UDW-7
  • DMG6301UDW-7 PDF Datasheet
  • DMG6301UDW-7 Stock

  • DMG6301UDW-7 Pinout
  • Datasheet DMG6301UDW-7
  • DMG6301UDW-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMG6301UDW-7 Price
  • DMG6301UDW-7 Distributor

DMG6301UDW-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.36nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds27.9pF @ 10V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

I prodotti a cui potresti essere interessato

MP6M11TCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

MPT6

DMN3032LFDBQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type B)

FW812-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 20V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

SI4946BEY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 30V

Potenza - Max

3.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDMA1028NZ-F021

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x2)

Venduto di recente

AD826AR

AD826AR

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

STGW45HF60WDI

STGW45HF60WDI

STMicroelectronics

IGBT 600V 70A 250W TO247

VN10LP

VN10LP

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

ADN4662BRZ

ADN4662BRZ

Analog Devices

IC RECEIVER 0/1 8SOIC

PLA10AN3630R3D2B

PLA10AN3630R3D2B

Murata

COMMON MODE CHOKE 300MA 2LN TH

PIC18LF1320-I/P

PIC18LF1320-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 18DIP

MX25L12835FM2I-10G

MX25L12835FM2I-10G

Macronix

IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOP

AD8062ARZ

AD8062ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

MTFC8GACAAAM-4M IT

MTFC8GACAAAM-4M IT

Micron Technology Inc.

IC FLASH EMMC 64G

ADM1087AKSZ-REEL7

ADM1087AKSZ-REEL7

Analog Devices

IC SIMPLE SEQUENCER OD SC70-6

UCLAMP2804L.TCT

UCLAMP2804L.TCT

Semtech

TVS DIODE 2.8V 10V 8SOIC

EN6360QI

EN6360QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.8V 46W