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DMC3016LNS-13

DMC3016LNS-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC3016LNS-13
PNEDA Part # DMC3016LNS-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.096
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC3016LNS-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC3016LNS-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC3016LNS-13, DMC3016LNS-13 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 481,31 KB)
PDFDMC3016LNS-7 Datasheet Copertura
DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 2 DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 3 DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 4 DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 5 DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 6 DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 7 DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 8 DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 9 DMC3016LNS-7 Datasheet Pagina 10

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  • DMC3016LNS-13 Distributor

DMC3016LNS-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Potenza - Max1.3W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 25V

Potenza - Max

21W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-5 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-5 Full-Pak

EPC2107

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

9-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI1972DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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