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EPC2107

EPC2107

Solo per riferimento

Numero parte EPC2107
PNEDA Part # EPC2107
Descrizione GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Produttore EPC
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 36.030
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EPC2107 Risorse

Brand EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEPC2107
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
EPC2107, EPC2107 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 2.386,93 KB)
PDFEPC2107ENGRT Datasheet Copertura
EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 2 EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 3 EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 4 EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 5 EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 6 EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 7 EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 8 EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 9 EPC2107ENGRT Datasheet Pagina 10

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EPC2107 Specifiche

ProduttoreEPC
SerieeGaN®
Tipo FET3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Funzione FETGaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia9-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore9-BGA (1.35x1.35)

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 20V

Potenza - Max

15.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

282pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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