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DMC2450UV-13

DMC2450UV-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC2450UV-13
PNEDA Part # DMC2450UV-13
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.622
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC2450UV-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC2450UV-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC2450UV-13, DMC2450UV-13 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 471,34 KB)
PDFDMC2450UV-13 Datasheet Copertura
DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 2 DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 3 DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 4 DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 5 DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 6 DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 7 DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 8 DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 9 DMC2450UV-13 Datasheet Pagina 10

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DMC2450UV-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.03A, 700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds37.1pF @ 10V
Potenza - Max450mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

APTM20DUM04G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

372A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 186A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28900pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

EMH2314-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 6V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-EMH

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

710mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V

Potenza - Max

410mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

IPG20N06S2L50AATMA1

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 19µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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