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DGD0506AFN-7

DGD0506AFN-7

Solo per riferimento

Numero parte DGD0506AFN-7
PNEDA Part # DGD0506AFN-7
Descrizione IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.344
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DGD0506AFN-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDGD0506AFN-7
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
DGD0506AFN-7, DGD0506AFN-7 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 905,01 KB)
PDFDGD0506AFN-7 Datasheet Copertura
DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 2 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 3 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 4 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 5 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 6 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 7 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 8 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 9 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 10 DGD0506AFN-7 Datasheet Pagina 11

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DGD0506AFN-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione8V ~ 14V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1.5A, 2A
Tipo di ingressoCMOS/TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap)50V
Tempo di salita / discesa (tipico)17ns, 12ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreW-DFN3030-10

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

LT1910ES8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 48V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NCV5701ADR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.75V, 4.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

20mA, 15mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

9.2ns, 7.9ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

LTC7004HMSE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

60V (Max)

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

80V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-MSOP

FAN73932MX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 2.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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