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CY7C1470BV25-167BZCT

CY7C1470BV25-167BZCT

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1470BV25-167BZCT
PNEDA Part # CY7C1470BV25-167BZCT
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.592
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1470BV25-167BZCT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1470BV25-167BZCT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1470BV25-167BZCT, CY7C1470BV25-167BZCT Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 884,12 KB)
PDFCY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Copertura
CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 2 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 3 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 4 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 5 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 6 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 7 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 8 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 9 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 10 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 11

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CY7C1470BV25-167BZCT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.4ns
Tensione - Alimentazione2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Tipo di montaggio

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S34MS04G200BHI900

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-2

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-BGA (11x9)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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