CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-FBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-FBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-FBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-FBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.4ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-FBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.4ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-FBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.4ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-FBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (1M x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.4ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-FBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17) |
