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CY62137FV30LL-45BVIT

CY62137FV30LL-45BVIT

Solo per riferimento

Numero parte CY62137FV30LL-45BVIT
PNEDA Part # CY62137FV30LL-45BVIT
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.892
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62137FV30LL-45BVIT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62137FV30LL-45BVIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62137FV30LL-45BVIT, CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 516,66 KB)
PDFCY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Copertura
CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 2 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 3 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 4 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 5 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 6 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 7 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 8 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 9 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 10 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 11

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CY62137FV30LL-45BVIT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (6x8)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

256-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

256-BGA (27x27)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

7134SA70J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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