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BSM35GB120DN2HOSA1

BSM35GB120DN2HOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM35GB120DN2HOSA1
PNEDA Part # BSM35GB120DN2HOSA1
Descrizione IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM35GB120DN2HOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM35GB120DN2HOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM35GB120DN2HOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Potenza - Max280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 35A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimeSTACK™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 55°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF450R12ME3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

32nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APT60GF120JRDQ3

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

149A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.08nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

FP100R06KE3_B16

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FP15R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

22A

Potenza - Max

81W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

830pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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