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APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3

Solo per riferimento

Numero parte APT60GF120JRDQ3
PNEDA Part # APT60GF120JRDQ3
Descrizione IGBT 1200V 149A 625W SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.470
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 13 - nov 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT60GF120JRDQ3 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT60GF120JRDQ3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT60GF120JRDQ3 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)149A
Potenza - Max625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)350µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce7.08nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FF450R17ME3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

605A

Potenza - Max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

40.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF25H120T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APTGF50H60T2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APT75GN120JDQ3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

124A

Potenza - Max

379W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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