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BSM200GB120DN2HOSA1

BSM200GB120DN2HOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM200GB120DN2HOSA1
PNEDA Part # BSM200GB120DN2HOSA1
Descrizione IGBT 2 MED POWER 62MM-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario
1 ---------- $3.323,0354
50 ---------- $3.167,2681
100 ---------- $3.011,5008
200 ---------- $2.855,7335
400 ---------- $2.725,9275
500 ---------- $2.596,1214
Disponibile 5.509
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM200GB120DN2HOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM200GB120DN2HOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM200GB120DN2HOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)290A
Potenza - Max1400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)4mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce13nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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CM1400DU-24NF

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1400A

Potenza - Max

3900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 1400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

220nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Potenza - Max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

GHIS080A060S1-E1

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Potenza - Max

380W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 80A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.44nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

APTGV50H60BT3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Configurazione

Boost Chopper, Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

IFF300B17N2E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

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Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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