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APTGV50H60BT3G

APTGV50H60BT3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGV50H60BT3G
PNEDA Part # APTGV50H60BT3G
Descrizione MOD IGBT NPT 600V SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.610
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGV50H60BT3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGV50H60BT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGV50H60BT3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT, Trench Field Stop
ConfigurazioneBoost Chopper, Full Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65A
Potenza - Max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2.2nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FP15R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18A

Potenza - Max

83.5W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FAM65HR51DS2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

40nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT50DH120T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

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