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AS4C256M16D3LA-12BCNTR

AS4C256M16D3LA-12BCNTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C256M16D3LA-12BCNTR
PNEDA Part # AS4C256M16D3LA-12BCNTR
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.376
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C256M16D3LA-12BCNTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C256M16D3LA-12BCNTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C256M16D3LA-12BCNTR, AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet (Totale pagine: 83, Dimensioni: 2.024,01 KB)
PDFAS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Copertura
AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 2 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 3 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 4 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 5 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 6 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 7 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 8 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 9 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 10 AS4C256M16D3LA-12BCNTR Datasheet Pagina 11

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  • AS4C256M16D3LA-12BCNTR Distributor

AS4C256M16D3LA-12BCNTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-FBGA (9x13)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

WS-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (11.6x8)

MT41K256M4DA-107:J

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

1Gb (256M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x10.5)

BR24G32FVM-3GTTR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

IS43LR32160B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

IS42S81600F-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

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