Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IS43LR32160B-6BLI-TR

IS43LR32160B-6BLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS43LR32160B-6BLI-TR
PNEDA Part # IS43LR32160B-6BLI-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.014
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS43LR32160B-6BLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS43LR32160B-6BLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS43LR32160B-6BLI-TR, IS43LR32160B-6BLI-TR Datasheet (Totale pagine: 44, Dimensioni: 1.839,45 KB)
PDFIS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Copertura
IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 2 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 3 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 4 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 5 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 6 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 7 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 8 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 9 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 10 IS46LR32160B-6BLA2 Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IS43LR32160B-6BLI-TR Datasheet
  • where to find IS43LR32160B-6BLI-TR
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160B-6BLI-TR
  • IS43LR32160B-6BLI-TR PDF Datasheet
  • IS43LR32160B-6BLI-TR Stock

  • IS43LR32160B-6BLI-TR Pinout
  • Datasheet IS43LR32160B-6BLI-TR
  • IS43LR32160B-6BLI-TR Supplier

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
  • IS43LR32160B-6BLI-TR Price
  • IS43LR32160B-6BLI-TR Distributor

IS43LR32160B-6BLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso5.5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-TFBGA (8x13)

I prodotti a cui potresti essere interessato

MT46V64M8P-6T IT:F

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

MTFC64GANALAM-WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT53B4DATT-DC

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

THGAF8G8T23BAIL

Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

Consumer UFS

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

UFS

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-WFBGA (11.5x13)

CY7C1460KVE25-200BZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.2ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

Venduto di recente

170M3618

170M3618

Eaton - Bussmann Electrical Division

FUSE SQUARE 350A 700VAC RECT

EN6360QI

EN6360QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.8V 46W

AT89S52-24PU

AT89S52-24PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 40DIP

PEX8603-AB50NI G

PEX8603-AB50NI G

Broadcom

IC PCI EXPRESS SWITCH 136AQFN

LTM4630IY

LTM4630IY

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CNVRTR 0.6-1.8V 0.6-1.8V

1410-L110-L1F1-S01-4A

1410-L110-L1F1-S01-4A

E-T-A

CIR BRKR THRM 4A 250VAC 50VDC

PCF8575TS/1,112

PCF8575TS/1,112

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP

749196321

749196321

Wurth Electronics

TRANSFORMER 14.2UH .97A SMD

TL074ID

TL074ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO

LM358DR

LM358DR

Rohm Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

ADF4350BCPZ-RL7

ADF4350BCPZ-RL7

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO FN/IN 32LFCSP

H1102NLT

H1102NLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100