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APT13003DI-G1

APT13003DI-G1

Solo per riferimento

Numero parte APT13003DI-G1
PNEDA Part # APT13003DI-G1
Descrizione TRANS NPN 450V 1.5A TO251
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 25.416
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT13003DI-G1 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT13003DI-G1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
APT13003DI-G1, APT13003DI-G1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 385,08 KB)
PDFAPT13003DU-G1 Datasheet Copertura
APT13003DU-G1 Datasheet Pagina 2 APT13003DU-G1 Datasheet Pagina 3 APT13003DU-G1 Datasheet Pagina 4 APT13003DU-G1 Datasheet Pagina 5 APT13003DU-G1 Datasheet Pagina 6 APT13003DU-G1 Datasheet Pagina 7

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APT13003DI-G1 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)450V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 250mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 1A, 2V
Potenza - Max24W
Frequenza - Transizione4MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-251

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

100mW

Frequenza - Transizione

80MHz

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Pacchetto dispositivo fornitore

SSM

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

340MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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