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ALD114804SCL

ALD114804SCL

Solo per riferimento

Numero parte ALD114804SCL
PNEDA Part # ALD114804SCL
Descrizione MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD114804SCL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD114804SCL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD114804SCL, ALD114804SCL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 107,17 KB)
PDFALD114804APCL Datasheet Copertura
ALD114804APCL Datasheet Pagina 2 ALD114804APCL Datasheet Pagina 3 ALD114804APCL Datasheet Pagina 4 ALD114804APCL Datasheet Pagina 5 ALD114804APCL Datasheet Pagina 6 ALD114804APCL Datasheet Pagina 7 ALD114804APCL Datasheet Pagina 8 ALD114804APCL Datasheet Pagina 9 ALD114804APCL Datasheet Pagina 10 ALD114804APCL Datasheet Pagina 11

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  • ALD114804SCL Distributor

ALD114804SCL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®
Tipo FET4 N-Channel, Matched Pair
Funzione FETDepletion Mode
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (Max) @ Id360mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V

Potenza - Max

25W

Temperatura di esercizio

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

431pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.4nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

887pF @ 10V

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