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AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDN

Solo per riferimento

Numero parte AFGB30T65SQDN
PNEDA Part # AFGB30T65SQDN
Descrizione 650V/30A FS4 IGBT TO263 A
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.492
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AFGB30T65SQDN Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAFGB30T65SQDN
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
AFGB30T65SQDN, AFGB30T65SQDN Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 229,53 KB)
PDFAFGB30T65SQDN Datasheet Copertura
AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 2 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 3 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 4 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 5 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 6 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 7 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 8 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 9

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AFGB30T65SQDN Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Potenza - Max220W
Switching Energy-
Tipo di ingresso-
Gate Charge56nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C14.5ns/63.2ns
Condizione di test400V, 30A, 6Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)245ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD²PAK-3 (TO-263-3)

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IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

305W

Switching Energy

490µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/175ns

Condizione di test

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

52ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

APT80GA60LD40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

143A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

840µJ (on), 751µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

230nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/158ns

Condizione di test

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

IXGC12N60C

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Potenza - Max

85W

Switching Energy

90µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/60ns

Condizione di test

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS220™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS220™

RJH60D2DPP-A0#T2

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IXGP12N60B

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/150ns

Condizione di test

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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