2N4392-E3
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| Numero parte | 2N4392-E3 |
| PNEDA Part # | 2N4392-E3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.032 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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2N4392-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N4392-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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2N4392-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25mA @ 20V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 2V @ 1nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 20V |
| Resistenza - RDS (On) | 60 Ohms |
| Potenza - Max | 1.8W |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-206AA (TO-18) |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.5V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 0V Resistenza - RDS (On) 7 Ohms Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AC (TO-52) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 400mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
