J112,126
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| Numero parte | J112,126 |
| PNEDA Part # | J112-126 |
| Descrizione | JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.622 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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J112 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | J112,126 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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J112 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 1V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 50 Ohms |
| Potenza - Max | 400mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max 20mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP |
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